技术编号:5868382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及。背景技术近十几年来,半导体工业以超乎寻常的速度发展,在集成电路生产方面取得了巨大的成就。目前,已经能够生产出高性能的SOC(系统级芯片)产品。随着半导体工艺进入到超深亚微米级,一些关键问题影响到半导体电路的生产,其中包括NBTI (负偏压下温度不稳定性)效应,即对器件施加负的栅极电压和温度应力条件下所发生的一系列现象,NBTI效应是影响CMOS器件可靠性的重要因素。由NBTI效应引发的PM0SFET退化逐渐成为影响器件寿...
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