技术编号:5868975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件测试,特别涉及功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法。背景技术在制造工艺和最终系统应用过程中,集成电路可能出现静电放电 (electrostatics discharge,ESD)现象。ESD现象通常引起高电压电位的放电(一般几千伏)而导致短期(一般100ns)的高电流(几安培)脉冲,这会破坏在当前集成电路中存在的脆弱器件,造成系统的功能失效。因而,对集成电路来说ESD防护是必不可少的。目前改进的金属氧化物半导体场效应晶体管(m...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。