技术编号：5872474
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域，由其涉及半导体制造平台的泄漏检测。 背景技术一般地，半导体存储器之类的集成电路器件，通过在如硅晶片之类的半导体基片 上进行各种重复的单元工艺而制成，以形成集成电路。单元工艺包括沉积工艺、光刻工艺、 蚀刻工艺、化学机械抛光工艺、清洗工艺、干燥工艺等。现今的半导体器件的制造中，等离子体处理，尤其是等离子体增强化学气相淀积 (PEV⑶)等，已得到广泛的应用。在半导体制造平台中，通过管道与处理室相流通的远程等离子体源(RPS)将反应 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。