技术编号：5875669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN基HEMT可靠性分析，尤其涉及，通过测量一系列肖特基图形在不同频率下的电容电压(CV) 特性，结合测得的电容同缺陷密度之间的关系，确定器件缺陷密度的大小。背景技术GaN基HEMT器件中高浓度的二维电子气是通过AlGaN/GaN界面之间的极化效应形成的，异质界面不可避免的存在高的缺陷密度，在研制GaN HEMT时，器件金-半接触的界面同样存在较高的缺陷密度。器件的漏电过大直接影响着器件性能的提高，降低了器件的可靠性。确定器件缺陷密度的分布和缺...
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