技术编号:5876059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体,特别涉及一种透射电子显微镜的半导体样品制备方法。背景技术目前,透射电子显微镜(TEM)越来越多地用于通过观察半导体器件形貌对半导体器件进行失效分析。由于TEM的原理是电子衍射穿透样品成像,因此TEM方法样品制备的要求很高,通常要求样品的厚度不能超过0.1微米。在晶片(wafer)上生长的半导体器件结构是层叠排列的,当以整片wafer上位于底层的某个半导体器件作为TEM的目标结构时, 就需要制备包含目标结构且满足TEM样品厚度要求的样品...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。