技术编号:5877584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体中的样品失效分析,尤其涉及一种。背景技术在半导体中,利用半导体工艺制造半导体器件时,由于半导体制造过程中的工艺缺陷,例如工艺中引入的金属微粒,会导致一些半导体器件存在缺陷,因此需要对半导体器件进行失效分析,以确定制造的半导体器件是否为合格产品。在半导体工艺中,互连沟槽以及通孔(不是形成在有源区或者栅极上)或者接触孔(形成在有源区或者栅极上)品质的好坏直接关系到互连线以及栓塞的品质,因此需要对互连沟槽以及通孔进行失效分析。在失效分析前需要首先...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。