技术编号:5884967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,具体涉及一种。背景技术在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。晶体缺陷(Crystal Defects)包括面缺陷、线缺陷和点缺陷,均对晶体的物理性质具有极其重要的影响。在集成电路制造中,晶体缺陷很容易导致成品集成电路中的CMOS发生源漏之间漏电导通。对进行了源漏注入的晶圆进行是...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。