技术编号：5895837
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳电池制造，尤其是一种测量用于制作太阳电池的N型硅片少子寿命的钝化方法。背景技术少数载流子寿命是硅晶体材料的一项重要参数，它与晶体硅太阳能电池的光电转换效率有着直接关系。因此，测量晶体硅体内的少数载流子寿命是在生产之前对硅原材料进行质量检测和在研究过程中进行性能分析的重要手段。目前测量硅片少子寿命的方法很多，如光电导衰减法、表面光电压法等，但由于微波光电导衰减法(μ -PCD)操作简单且测试精度满足检测要求而在工业上得到广泛应用。晶体硅的少子寿...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。