技术编号:5904713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能级硅片的制造,特别涉及。背景技术目前为在开方之后进行小方锭的电阻率和少子寿命测试,但仅有这种方法很难准确的判断出硅锭的质量。多晶硅锭的质量主要体现在晶体缺陷和杂质浓度量方面,杂质浓度的多少能够通过对电阻率的考量得到,而现有的开方后电阻率测试法并不能很好的显示出硅锭整体的品质。本方法通过对整锭的结晶点个数及结晶点附近的电阻率的测量可以更加清晰的判断出硅锭整锭的质量优劣,其数据对于质量控制和铸锭工艺改进都有重要意义。发明内容本发明的目的是提供一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。