技术编号：5905452
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以硅片上定向生长(100)晶面金刚石薄膜为基体材料制成的微条粒子探测器及其制备方法。背景技术 半导体探测器是20世纪60年代以来得到迅速发展的一种新型核辐射探测元件，它的特点是能量分辨率高，线性响应好，脉冲上升时间短，结构简单，探测效率高，工作电压低，操作方便。自1949年美国贝尔电信电话实验室首次利用锗半导体探测粒子以后，这种探测器立刻引起世界各国的瞩目。70年代起，随着硅材料的制备工艺和半导体平面工艺的不断改进，使硅探测器得到了很快的发展...
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