技术编号：5912253
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及预测MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的测量尺寸(栅长/栅宽)的内部尺寸的MOSFET的电气特性的技术。背景技术 在MOS晶体管的电路设计模拟时，通常，准备已规定了多个MOS晶体的沟道长/宽尺寸的模型参数集，对于在电路设计中使用的各个晶体管的沟道长/宽尺寸，选择认为是最佳的模型参数集。然后，用该选择的模型参数集进行电路模拟(示例见专利文献1特开平10-65159号公报)。另外，在电路模拟的表格模型(table model)中也同样测量有...
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