技术编号:5922838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及桥式磁场传感器的设计,特别的是一种三轴磁场传感器。技术背景 隧道结磁电阻传感器(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,它利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应(TMR,TunnelMagnetoresistance),主要表现在磁性多层膜材料中随着外磁场大小和方向的变化,磁性多层膜的电阻发生明显变化,它比之前所发现并实际应用的AMR (各向异性磁电阻)具有更大的电阻变化率,同时...
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