技术编号:5926709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及确定诸如薄膜结构的样品特性的光学计量领域。微电子器件的制作通常包括利用多步薄膜淀积和构图(pattering)工艺形成的金属结构。例如,在一种工艺中,将金属诸如铜淀积在具有介电层的晶片上,该介电层经过蚀刻构图为具有一系列挖剪图形(cutout)或沟槽(trench)。接着,通过化学-机械平面化(CMP)来平面化晶片,以除去在原始介电薄膜表面上的多余金属。所得的结构是一系列嵌入介质中的分隔的窄金属区域。这些区域通常是椭圆形或矩形的,但也可以采用任何...
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