带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片的制作方法技术资料下载

技术编号:5927182

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本实用新型涉及一种测量压力的器件,特别涉及一种带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片。背景技术硅压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。硅压阻式压力传感器已广泛用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。由于硅压阻式压力传感器的压敏电阻经过掺杂处理,压敏电阻里的载流子具有可移...
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