技术编号:5927547
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及GMR、MTJ桥式传感器的设计和制备,特别的是一种单一芯片的桥式磁场传感器。所述方法可以用于在单一磁性薄膜上制作半桥、全桥GMR、MTJ磁性传感器。背景技术磁性隧道结传感器(MTJ, Magnetic Tunel Junction)是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,它利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应(TMR,TunnelMagnetoresistance),主要表现在磁性多层膜材料中随着外磁场大小和方向的变化,磁性多层膜的电阻...
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