技术编号:592932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适合于酸生成剂的盐,该酸生成剂用于在半导体精细加工中使用的化学放大型抗蚀剂,并且涉及一种含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物。背景技术 用于采用光刻(lithography)法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成剂,该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。在半导体微型制造中,适宜的是形成具有高分辨率和优异图案形状的图案,并且期望化学放大型抗蚀剂组合物产生这样的图案。US 6548221 B2和US 6383713 B1公开了一...
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