技术编号:5936962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料和器件的性能测试,具体是指一种测量半导体过剩载流子双极迁移率和扩散长度的装置及方法。背景技术 过剩载流子双极迁移率和扩散长度是半导体材料和器件的重要物理量。一般采用漂移实验(海恩斯-肖克莱实验)来测量。这种方法采用一种具有三电极的半导体条,其中两个端电极间加一外电场,用脉冲小光点向半导体条中注入过剩载流子脉冲,在电场的作用下,过剩载流子脉冲沿半导体条方向漂移,在一定的时间间隔后,第三个电极(读出电极)就会有一脉冲信号输出。测量注入脉冲与...
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