技术编号：5947516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种。背景技术半导体器件中，从宏观角度来说，薄膜产生应力的主要原因是薄膜同半导体器件基底之间的热收缩系数差异。所述薄膜在较高温度下，沉积在半导体器件基底之上时是没有应力的，但当薄膜冷却以后，由于薄膜同基底之间的热收缩系数有一定差异，从而表现出一定的应力。同时，薄膜还存在有一定的内应力，产生该内应力的主要原因是薄膜材料内部的晶格缺陷或者是非晶内部的畸变能，通常所说的薄膜应力是各个因素引起的应力分量的总 和。薄膜的应力对于半导体...
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