技术编号:5949594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,具体涉及MOSFET中利用栅控产生电流来提取出器件平带电压和阈值电压的方法。 背景技术MOSFET中的平带电压(Vib)压、阈值电压(Vth)是两个非常重要的电学參数。平带电压反映出栅氧化层中的电荷情况,一般测试Vfb是用电容电压(CV)等非直流方法测试。其测试方法为在栅上加上一定频率的脉冲电压,然后测量栅衬之间的电容C。根据实际CV曲线与理想CV曲线比较,得出VFB。这种方法测试需要频率发生器,因此实验设备复杂。而且得出理想CV曲线需要...
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