技术编号：5950936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，属于薄膜磁阻传感器的。背景技术磁阻传感器本体被广泛的应用在数据存储领域(计算机硬盘，MRAM),电流的测量领域，位置测量，物体的移动和速度，角度及角速度等的测量领域。磁阻传感器本体有多层膜结构，自旋阀结构。多层膜结构包括磁性层和非磁性层，它们交替的沉积在衬底上。自旋阀结构包括非磁性钉扎层(Mnlr，MnPt)，磁性被钉扎层(CoFeB、CoFe,或是 SAF 结构 CoFe/Ru/CoFe...
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