技术编号：5952424
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制，特别涉及一种确定AIGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法。背景技术目前，在半导体器件中，高速和小尺寸是其发展的两个方向，对材料中的各种载流子的微观动力学过程的理解是实现高速和小尺寸半导体器件的基础。因此，对半导体内部微观世界的了解就显得尤其重要。在半导体中存在着各种离子，包括电子、空穴、光学声子、等离子体、磁子、激子和耦合模等。上述半导体中的离子被激发后存在的寿命尺度通常是PS量级。因此，有关...
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