技术编号:5953138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,尤其涉及。背景技术空洞(Void)型缺陷是直拉硅单晶中的一类重要原生缺陷 ,它们是在直拉硅单晶的生长过程中由空位的聚集而形成的。用于制造集成电路的直拉硅单晶片(以下简称直拉硅片)中若存在空洞型缺陷,将会导致栅氧化物的完整性(GOI)变差、PN结漏电显著、槽型电容短路和绝缘失效等问题。这些问题的存在将严重降低集成电路的成品率。因此,在生产直拉硅片时,需要一种简单快捷的方法来显示硅片中的空洞型缺陷,从而为控制乃至消除这类有害缺陷提供依据。直拉...
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