技术编号:5954251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种膜厚測量装置,特别是涉及对在基板上至少形成一层膜的被測量物的膜厚进行测量的结构。背景技术近年来,为了实现 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补金属氧化物半导体)电路等的低功耗化、高速化,关注了称为SOI (Silicon on Insulator 绝缘体上硅)的基板结构。该S 01基板在两个Si (硅)基板之间配置了 SiO2等的绝缘层(BOX层),能够降低在形成于ー个Si层的PN结...
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