技术编号:5954762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及蚀刻液领域,尤其涉及一种。背景技术湿式蚀刻是TFT制造过程中用酸性腐蚀液对金属膜层进行图形化,进而形成栅极(Gate)、源漏极(Source-Drain)、像素(Indium Tin Oxides, HO)电极的核心工艺。其中,铝和钥常作为导电材料来形成栅极,其蚀刻液可使用多种不同的酸,但大多都是利用强酸混合物(磷酸、硝酸和冰醋酸)对其进行溶解和氧化还原,从而实现栅极膜层的图形化。铝蚀刻液混酸的组成大概为磷酸(70 72% )、硝酸(L 8% 2...
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