技术编号：5956795
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁场探测，具体涉及一种三维各向异性磁场传感器及其制造方法。背景技术各向异性磁阻(Anisotropyof magnetoresistance,AMR)效应是由 W. Thomson 于1857年在铁磁金属Fe、Ni中发现的。当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场而变化，而当外加磁场方向偏离磁化方向时，电阻减小，这就是各向异性磁阻效应，即电阻率与铁磁材料内部磁化强度方向与电流方向的夹角有关。目前各向异性磁阻材料通常选取坡莫合金，在...
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