技术编号：5957968
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜硅/晶体硅异质结太阳能电池技术，特别涉及一种硅基太阳能电池暗I-V-T特性的测试方法。背景技术薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池，结合了薄膜的低温沉积制备工艺和晶体硅材料的无缺陷优点，具有较好的应用前景。为优化太阳能电池工艺参数，提高电池光电转换性能指标，尤其是提高电池的填充因子FF，深入理解异质结电池中的载流子输运过程非常必要。目前人们对薄膜硅/晶体硅异质结输运特性的实验和理论研究，主要是通过采用双二极管模型或者建立器件的能带模型，结合室温下的暗...
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