技术编号:5958468
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氢敏传感器,具体地讲,涉及一种单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器。背景技术氢气的检漏、监测是急待解决的问题,它关系到氢的生产、使用与人身、设备的安全,因此,氢敏传感器的研究具有非常重要的意义。氢敏材料是氢敏传感器的基础,它的研究开发直接制约着氢敏传感器的应用和发展。半导体金属氧化物型氢敏材料与其他氢敏材料相比,对氢气的选择性好,灵敏度好,使用寿命长,但其工作温度一般都比较高。二氧化锡材料在众多半导体金属氧化物氢敏材料中具有非常好的氢...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。