技术编号:5960593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,具体的讲是涉及一种基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法。背景技术半导体器件的制作一般使用绝缘娃(Silicon on insulator, SOI)、块状娃(BulkSilicon)、或者锗(Germanium, Ge)为衬底。典型的半导体器件包括二极管、三极管。半导体器件,在工作时会产生热量,从而使包括半导体器件内部的温度升高,为此,人们想测得半导体器件的温度值。由于半导体器件的温度是有限度的,当温度达到一定数值时,半导体...
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