技术编号:5961924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种故障检测电路,尤其是涉及一种IGBT故障检测电路。背景技术绝缘栅双极晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor—IGBT)是由功率MOSFET和GTR复合而成的功率器件,因具有高电压、大电流、易于驱动、工作频率广等特性而被广泛使用在各种脉冲功率设备中如雷达发射机、高压脉冲电场杀菌设备等。随着IGBT电压、电流、频率等级的不断提升,IGBT的价格也越来越高。IGBT本身是一种耐过压、耐过流能力较差的器件,在使用过程...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。