技术编号:5980364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路的测试技术,特别属于一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座。背景技术垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称VDM0S)的结构如图1所示,其漏端不是在芯片的顶面,而是从芯片的底部引出,所以在进行可靠性测试封装的时候引脚必须从芯片的背面引出。为了对VDMOS器件进行可靠性测试(如高温反向偏压测试HTRB),同时还要避免封装对于产品可靠性的影响,芯片代工厂一般都会将VDMOS器件芯片直接封装在双列直插陶瓷底座上进行...
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