技术编号：5992582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种靶材检测夹具。背景技术真空溅射是由电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基片上成膜，而最终达到对基片表面镀膜的目的。在公开号为CN1109512A(公开日1995年10月4日)的中国专利文献中还能发现更多的关于真空溅射的信息。·但是，在真空溅射的工艺中，会出现下列...
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