技术编号:6000103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及测量形成于基板上的半导体膜等的膜状的测量对象物的膜厚的时间变化的膜厚测量装置以及膜厚测量方法。背景技术在半导体制造工艺中,例如,在蚀刻处理的执行中,基板上的半导体膜的膜厚随着时间变化减少。另外,在薄膜形成处理的执行中,半导体膜的膜厚随着时间变化增加。在这样的半导体工艺中,为了处理的终点检测等的工艺控制,需要进行半导体膜的膜厚的时间变化的在原位αη-Situ)的测量。作为这样的半导体膜的膜厚的测量方法,已知有对半导体膜照射规定波长的测量光,并检测来...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。