技术编号:6005033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及检查通过激光退火对在基板上形成的非晶硅进行多结晶化后的多晶硅薄膜的结晶状态的方法及其装置。背景技术为了确保高速动作,通过准分子激光对在基板上形成的非晶硅的一部分进行低温退火,在多晶化的区域中形成在液晶显示元件或有机EL元件等中使用的薄膜晶体管 (TFT)。如此,在通过准分子激光对非晶硅的一部分进行低温退火使其多晶化的情况下, 要求均勻地进行多晶化,但是实际上由于激光光源变动的影响有时在结晶中发生偏差。因此,作为监视该硅结晶的偏差的产生状态的方法,...
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