技术编号:6009883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于传感器设计,具体涉及。背景技术光寻址电位传感器(LAPQ是一种以电容型传感器为基础,结合半导体光电特性的传感器件。由于其具有制备工艺简单、封装要求低、电位稳定性好、灵敏度高、响应时间短、测量过程中光源可移动等特点,引起了广泛的研究和应用。光寻址电位传感器的敏感单元具有电解质溶液-敏感膜-半导体结构。当把光寻址电位传感器的半导体表面偏置在耗尽状态时,用强度可调制的光源照射硅片,光子会激发硅材料电子从价带跃迁到导带,从而产生的非平衡电子-空穴对在耗尽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。