技术编号:6012106
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体测试领域,具体的讲是涉及一种适用于晶圆中的MOS器件热载流子效应的测试结构及测试方法。背景技术当半导体制作工艺进入深亚微米时代,半导体器件可靠性越来越直接影响着制作的集成电路芯片的性能和使用寿命。由于热载流子注入(HCI)是一直影响MOS器件性能的重要因素,其直接引起MOS器件性能的退化,因此热载流子注入成为了 MOS器件可靠性测试的一项重要指标,即热载流子效应测试。热载流子效应测试,包括应力加载阶段测试和单个器件阶段测试。MOS器件热载流...
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