技术编号：6013969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体霍尔元件，且特别涉及高灵敏度且能够去除偏置(offset)电压的霍尔传感器。背景技术首先，对霍尔元件的磁检测原理进行说明。对物质中流过的电流施加垂直的磁场， 则在与该电流和磁场双方均垂直的方向上产生电场(霍尔电压)。考虑图2那样的霍尔元件，以感应磁场而产生霍尔电压的霍尔元件敏感部1的宽度为W、长度为L、电子迁移率为μ、用于产生电流的电源2的施加电压为Vdd、施加磁场为 B时，从电压计3输出的霍尔电压VH表述为VH = μ B (ff/L) ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。