技术编号:6015295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一般地说本发明涉及半导体器件制造和工艺控制,具体地说涉及监测淀积在半导体晶片上的超薄层的厚度和成分。背景技术 俄歇电子能谱学(AES)是一种测量材料的化学和组成特性的十分公知的技术。AES的原理和它在各种分析应用中的使用例如描述在Kazmerski的Microanalysis of Solids(Plenum Press,New York,1994)的第4章中,在此以引用参考的形式将其并入在本申请中。AES基于测量从由高能离子束(通常为电子束)辐射的固体中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。