技术编号：6015697
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率MOSFET器件结构的测试技术，尤其涉及功率MOSFET器件进入崩溃电压状态时可承受雪崩耐量的测试电路及方法。背景技术功率 MOSi7ET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效晶体管)作为功率半导体器件，在功率电力电子应用中十分广泛。功率 MOSFET以多数载流子导电工作于正向偏置状态，通常认为是不存在二次击穿的器件。实际上，当功率MOSFET在反向偏置时，...
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