技术编号:6015955
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉 及一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法。 背景技术金属-氧化层-半导体-场效晶体管,(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect transistor,M0SFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为N型和P型的 M0SFET,通常又称为 NM0SFET 与 PM0SFET,其他简称还包括NMO...
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