技术编号:6016782
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜的样本制备和分析方法。 背景技术诸如集成电路制造的半导体制造通常伴随有光刻法的使用。用在被暴露于辐射时改变可溶性的诸如光致抗蚀剂的材料来涂敷正在其上面形成电路的半导体衬底(通常为硅晶片)。位于辐射源与半导体衬底之间的诸如掩模或掩模板(reticle)的平版印刷工具投射阴影以控制衬底的哪些区域被暴露于辐射。在曝光之后,从已曝光或未曝光区域去除光致抗蚀剂,在晶片上留下图案化的光致抗蚀剂层,其在后续的蚀刻或扩散过程...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。