技术编号：6016995
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种半导体元件晶须缺陷的测评方法。背景技术由于集成电路大多是由数以万计，大小需由显微镜才能观看得到的固态电子元件所组合而成，因此又可称为微电子元件。上述的微电子元件中若存在缺陷(defect)，将造成由此微电子元件构成的电子装置故障。而且，当半导体设计规格缩小时，要改善及维持半导体工艺良率更加困难，而缺陷为影响工艺良率的重要关键之一。因此，缺陷的测量分析，对于集成电路制造良率的提升有重大关系。在半导体制造工艺过程中，在MO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。