技术编号:6019403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种。技术背景在半导体集成电路制造工艺中,通过一系列的沉积、光刻、刻蚀、平坦化工艺在半导体衬底上形成半导体结构。其中,光刻工艺在于形成掩膜图案,定义待刻蚀区域;而刻蚀工艺用于将光刻定义的图案转移到材料层中。等离子体刻蚀工艺为常用的一种刻蚀工艺, 等离子体刻蚀工艺中,选择合适的气体作为刻蚀气体,通过能量源如射频源激发腔室内的气体,使其从气态转化为等离子体状态。在这个过程中,气体吸收射频功率,被电离、激发、 离解等。图1为现有技术产生...
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