技术编号：6020661
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及属于电子高密度三维封装领域，具体涉及一种硅通孔金属互联方式电迁移可靠性测试结构。背景技术硅通孔金属互联线(TSV)技术是一种芯片内的纵向互连技术，其电信号从硅片上的通孔中穿过，相比传统的平面金属线互连技术，TSV技术能显著地提高封装的密度，具有节省空间，降低信号延迟提高芯片性能等优点。电迁移是微电子器件中互联线路非常重要的一种失效原因，电迁移会造成互联线路的开路和短路。对于传统互联金属线的电迁移性能已经有很多研究。但是对于TSV互联技术的电迁移研...
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