技术编号：6021334
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种PN结器件铝穿通的判定方法。背景技术硅在铝中的溶解度很大，当硅和铝接触时，会把硅从PN器件衬底中吸附出来，直到在该温度下硅在铝中的溶解度饱和为止。大量的硅被吸附进入铝中，在剩下的硅中产生空洞，并迅速被位于其上的铝填充。因为铝和硅表面发生反应时，是不均匀地局部点穿透。所以在硅衬底上将产生铝穿通，刺穿深度将大于lum。虽然现代后端工艺使用了多种手段，例如用铝硅铜取代纯铝和铝铜合金做金属连线，同时采用钛/氮化钛做阻挡层，以...
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