技术编号:6021635
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种磁感测装置,且特别是有关于一种磁阻式感测装置的线圈结构设计。背景技术磁阻效应(Magnetoresistance Effect,MR)是指特定磁阻材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应。由于上述特性,磁阻材料通常被应用在各种磁力或磁场的感测装置当中,例如可用于固态罗盘定位(compassing)、金属检测以及位置检测等场合。目前以磁阻材料进行磁感测的装置,较常见的如巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)磁传感器与...
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