技术编号：6021988
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于ー种穿隧式磁阻传感器，且特别是关于ー种平面穿隧式磁阻传感器。背景技术近年来，磁阻元件的应用主要分为两种，一种是磁性随机存取内存(MagneticRandom Access Memory, MRAM),另一种则是磁阻传感器(magnetoresistance sensor)。以磁阻传感器为例，其可应用于电子罗盘中，用以精细侦测地球磁场的变化；或是应用于机械装置之中，用以监测线性或角度位移。而且，为提高装置的灵敏度，目前多以穿隧式磁阻(Tunne...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。