技术编号：6029767
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体光电探测器，尤其是基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器及其制备方法。本发明的目的是这样实现的基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，其特征是在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN，x、y值取0.15-0.35，并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别分别为15-30nm、50-80...
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