技术编号:6031482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种压力传感器,尤其是一种采用静电键合工艺密封电容腔体制作的电容式微型压力传感器及其制造方法。由于硅材料具有很好的力学性能,随着半导体工艺的成熟,就有了用硅材料制作传感器的手段。首先,进行研究、制作的是硅压阻式压力传感器。硅压阻式压力传感器具有尺寸小、结构与制作工艺简单、传感灵敏度高等特点,不足之处是传感器的抗干扰能力差,温度影响大。由硅和玻璃键合制作的电容式压力传感器与硅压阻式压力传感器除具有尺寸小、结构与制作工艺简单、传感灵敏度高的特点外,还...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。