技术编号：6083517
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体应变检测元件及使用该元件的压力变换器，更详细地说，涉以使用化学汽相淀积(CVD)法，在结构变形部分的衬底上，形成具有补偿所述衬底应变量温度系数那样温度特性的半导体压敏电阻应变计的应变检测元件及使用了该元件的压力变换器。迄今已有种种制造半导体应变计的方法。例如有用真空蒸镀法或溅射法等形成薄膜应变计的方法、或者有把结晶硅切出细长的薄片状以获得半导体应变计的方法等。用这些方法所获得的薄膜应变计或半导体应变计贴附、粘结或蒸镀在变形部分(例如，金属板...
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