技术编号：6088752
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及光谱反射测量法，更具体来说，涉及使用宽束反射测量法、成像光谱法以及二维电荷耦合器件(2-D CCD)阵列分析在半导体制造中进行的终点(endpoint)检测。背景技术 在诸如集成电路、存储单元等的半导体结构的制造中，在半导体晶片上在一系列制造工艺步骤中对多个特征部、结构以及部件进行限定、构图以及构成，以创建多层集成结构。在半导体制造过程中通过许多操作处理半导体晶片。在精确控制的环境下添加层、对结构和特征部进行限定、构图、刻蚀、去除、抛光以及...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。